与旅行社合作的行业？(再生物资销售属于第几产业？)
与旅行社合作的行业？
旅游业作为朝阳的第三产业，可以带动与其直接相关的上下游产业和周边产业。具体如下：以某地的旅游业为例，旅游的发展，直接带动当地的餐饮、酒店、娱乐设施的发展。
旅游行业的又将促进基础设施的建设，钢筋、水泥等建筑材料行业和建筑设计行业将得到发展。
旅游业导致人群的迁移，交通运输业、当地特产等副业得到发展。
旅游业促进整体的资金流动，金融行业、借贷行业得到发展。
旅游业推动第三方的发展，广告行业、景区和城市品牌宣传、在线旅游行业、互联网企业得到同步发展。
旅游业能带动旅游者对旅游商品的直接购买，对与旅游商品相关的原材料、加工、制作、设计、销售等行业同步推动。
再生物资销售属于第几产业？
答：再生物资销售属于第三产业，也就是属于服务产业。无论是产品还是再生物质的销售都是第三产业，是用来作为桥梁作用性质。统属于流通领域的行为。是为上、下游企业提供产品和原料的，并从中赚取一定比例的差价。它们统一称为第三产业。
再生物资销售属于第几产业？
答：再生物资销售属于第三产业，也就是属于服务产业。无论是产品还是再生物质的销售都是第三产业，是用来作为桥梁作用性质。统属于流通领域的行为。是为上、下游企业提供产品和原料的，并从中赚取一定比例的差价。它们统一称为第三产业。
第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
与旅行社合作的行业？
旅游业作为朝阳的第三产业，可以带动与其直接相关的上下游产业和周边产业。具体如下：以某地的旅游业为例，旅游的发展，直接带动当地的餐饮、酒店、娱乐设施的发展。
旅游行业的又将促进基础设施的建设，钢筋、水泥等建筑材料行业和建筑设计行业将得到发展。
旅游业导致人群的迁移，交通运输业、当地特产等副业得到发展。
旅游业促进整体的资金流动，金融行业、借贷行业得到发展。
旅游业推动第三方的发展，广告行业、景区和城市品牌宣传、在线旅游行业、互联网企业得到同步发展。
旅游业能带动旅游者对旅游商品的直接购买，对与旅游商品相关的原材料、加工、制作、设计、销售等行业同步推动。
集成电路产业主要分为？
1）电子材料（也称电子化学品），具有“品类多、壁垒高、专用性”等特点，主要包括半导体（集成电路、分立器件、LED、传感器）、显示器件（LCD、OLED）、印刷电路板（PCB）、太阳能电池等电子元器件、零部件与整机生产的各种化工材料。
2）半导体产品按种类不同，主要分为集成电路（Integrated Circuit，简称IC）、光电子、分立器件和传感器四部分。根据WSTS统计，2016年集成电路销售占比82%，光电子占比9%，分立器件占比6%，传感器占比3%。由于多年来集成电路销售占半导体销售比重均达80%以上，因此市场上一般将IC代指为半导体。
3）集成电路按照不同功能用途区分，主要包括四大类：微处理器（约18%）、存储器（约23%）、逻辑芯片（约27%）、模拟芯片（约14%）。
4）目前全球IC产业有两种商业模式：IDM（Integrated Device Manufacturer，集成器件制造）模式和垂直分工模式。
IDM是指从设计、制造、封装测试到销售自有IC产品，均由一家公司完成的商业模式；
垂直分工是指IC的设计、制造和封装测试分别由专业的IC设计商（Fabless）、IC制造商（Foundry）、IC封装测试商（Package&Testing）承担的商业模式；
目前来看，IDM模式在全球仍占主要地位。2016年全球TOP20厂商营收共计占全球半导体销售额约80%，其中，20强中IDM厂商营收规模占比约为68%，Fabless占比为18%，Foundry占比为14%。
半导体行业相关资料
1）半导体产业属于重资产投入，具有技术含量高、设备价值高等特点，因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计、制造和封装与测试环节。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。
2）历史上半导体行业经历了两次产业转移，由美国到日本再到韩国，而2016年底中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。随着半导体制造技术和成本的变化，半导体产业正在经历第三次产能转移，行业需求中心和产能中心逐步向国内转移。
3）根据市场研究机构IC Insights数据，2016年，全球半导体市场规模约3600亿美元。最新的前20排名中，美国有8家半导体厂入榜，日本、欧洲与中国台湾地区各有3家，韩国有两家挤进榜单，新加坡有一家上榜。中国大陆仍没有一家企业上榜。
4）半导体产业被认为处于整个电子信息产业链的顶端，近年来半导体产业正在向中国转移，人才与配套设施也积极趋向于中国。随着云计算、大数据、物联网、人工智能等新兴应用的兴起，市场驱动要素正在发生转折，而中国拥有全球最大、增速最快的半导体市场。
5）广发证券研报称，半导体属于高度资本密集和高度技术密集型产业，是世界大国的必争之地。中国作为全球半导体最大的消费市场，无论是从地域配套优势还是国家意志层面，中国半导体产业的崛起势在必行，半导体整个产业链都有望持续受益。
6)从资本开支角度讲，半导体是一个高技术壁垒和高资金门槛的行业，需要不断的研发投入和资本投入。数据方面看，半导体企业的资本开支从2016年三季度开始走高。2017年全球半导体企业的资本开支超过1000亿美金，像英特尔、三星、台积电这些巨头，每年的资本开支都在100亿美金之上。
半导体产业链情况
1）从产业链上来看，半导体上游主要包括设备和材料两个部分，中游IC生产包括“设计-制造-封装-测试”几个环节，下游应用主要集中在计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等领域。
2）半导体产业链上游称为支撑产业链，主要包括材料和装备。其中，半导体材料主要包括大硅片、电子气体、湿电子化学品、靶材、光刻胶以及CMP材料等，半导体设备则有光刻机、刻蚀机、成膜设备以及测试设备等。无论是材料还是设备，由于生产技术工艺复杂，目前国产率均处于极低的水平。
3）半导体材料方面：由于目前我国集成电路产业中封装领域已占据一定的市场份额，随着产业链转移的深入，下一个有望崛起的是国内的晶圆制造产业，这意味着制造环节的材料将有更大的替代弹性。在众多半导体材料中，率先实现技术突破打入核心供应商的是溅射靶材，而江丰电子是国内溅射靶材的龙头。在CMP抛光材料领域，行业龙头鼎龙股份也实现了技术突破，成为国内首家磨制平面能做到高精度纳米级的企业。其他处于半导体材料产业链的上市公司还包括：湿化学品相关的江化微、大硅片相关的上海新阳、特种电子气体相关的雅克科技等。
与旅行社合作的行业？
旅游业作为朝阳的第三产业，可以带动与其直接相关的上下游产业和周边产业。具体如下：以某地的旅游业为例，旅游的发展，直接带动当地的餐饮、酒店、娱乐设施的发展。
旅游行业的又将促进基础设施的建设，钢筋、水泥等建筑材料行业和建筑设计行业将得到发展。
旅游业导致人群的迁移，交通运输业、当地特产等副业得到发展。
旅游业促进整体的资金流动，金融行业、借贷行业得到发展。
旅游业推动第三方的发展，广告行业、景区和城市品牌宣传、在线旅游行业、互联网企业得到同步发展。
旅游业能带动旅游者对旅游商品的直接购买，对与旅游商品相关的原材料、加工、制作、设计、销售等行业同步推动。
第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
集成电路产业主要分为？
1）电子材料（也称电子化学品），具有“品类多、壁垒高、专用性”等特点，主要包括半导体（集成电路、分立器件、LED、传感器）、显示器件（LCD、OLED）、印刷电路板（PCB）、太阳能电池等电子元器件、零部件与整机生产的各种化工材料。
2）半导体产品按种类不同，主要分为集成电路（Integrated Circuit，简称IC）、光电子、分立器件和传感器四部分。根据WSTS统计，2016年集成电路销售占比82%，光电子占比9%，分立器件占比6%，传感器占比3%。由于多年来集成电路销售占半导体销售比重均达80%以上，因此市场上一般将IC代指为半导体。
3）集成电路按照不同功能用途区分，主要包括四大类：微处理器（约18%）、存储器（约23%）、逻辑芯片（约27%）、模拟芯片（约14%）。
4）目前全球IC产业有两种商业模式：IDM（Integrated Device Manufacturer，集成器件制造）模式和垂直分工模式。
IDM是指从设计、制造、封装测试到销售自有IC产品，均由一家公司完成的商业模式；
垂直分工是指IC的设计、制造和封装测试分别由专业的IC设计商（Fabless）、IC制造商（Foundry）、IC封装测试商（Package&Testing）承担的商业模式；
目前来看，IDM模式在全球仍占主要地位。2016年全球TOP20厂商营收共计占全球半导体销售额约80%，其中，20强中IDM厂商营收规模占比约为68%，Fabless占比为18%，Foundry占比为14%。
半导体行业相关资料
1）半导体产业属于重资产投入，具有技术含量高、设备价值高等特点，因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计、制造和封装与测试环节。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。
2）历史上半导体行业经历了两次产业转移，由美国到日本再到韩国，而2016年底中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。随着半导体制造技术和成本的变化，半导体产业正在经历第三次产能转移，行业需求中心和产能中心逐步向国内转移。
3）根据市场研究机构IC Insights数据，2016年，全球半导体市场规模约3600亿美元。最新的前20排名中，美国有8家半导体厂入榜，日本、欧洲与中国台湾地区各有3家，韩国有两家挤进榜单，新加坡有一家上榜。中国大陆仍没有一家企业上榜。
4）半导体产业被认为处于整个电子信息产业链的顶端，近年来半导体产业正在向中国转移，人才与配套设施也积极趋向于中国。随着云计算、大数据、物联网、人工智能等新兴应用的兴起，市场驱动要素正在发生转折，而中国拥有全球最大、增速最快的半导体市场。
5）广发证券研报称，半导体属于高度资本密集和高度技术密集型产业，是世界大国的必争之地。中国作为全球半导体最大的消费市场，无论是从地域配套优势还是国家意志层面，中国半导体产业的崛起势在必行，半导体整个产业链都有望持续受益。
6)从资本开支角度讲，半导体是一个高技术壁垒和高资金门槛的行业，需要不断的研发投入和资本投入。数据方面看，半导体企业的资本开支从2016年三季度开始走高。2017年全球半导体企业的资本开支超过1000亿美金，像英特尔、三星、台积电这些巨头，每年的资本开支都在100亿美金之上。
半导体产业链情况
1）从产业链上来看，半导体上游主要包括设备和材料两个部分，中游IC生产包括“设计-制造-封装-测试”几个环节，下游应用主要集中在计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等领域。
2）半导体产业链上游称为支撑产业链，主要包括材料和装备。其中，半导体材料主要包括大硅片、电子气体、湿电子化学品、靶材、光刻胶以及CMP材料等，半导体设备则有光刻机、刻蚀机、成膜设备以及测试设备等。无论是材料还是设备，由于生产技术工艺复杂，目前国产率均处于极低的水平。
3）半导体材料方面：由于目前我国集成电路产业中封装领域已占据一定的市场份额，随着产业链转移的深入，下一个有望崛起的是国内的晶圆制造产业，这意味着制造环节的材料将有更大的替代弹性。在众多半导体材料中，率先实现技术突破打入核心供应商的是溅射靶材，而江丰电子是国内溅射靶材的龙头。在CMP抛光材料领域，行业龙头鼎龙股份也实现了技术突破，成为国内首家磨制平面能做到高精度纳米级的企业。其他处于半导体材料产业链的上市公司还包括：湿化学品相关的江化微、大硅片相关的上海新阳、特种电子气体相关的雅克科技等。
集成电路产业主要分为？
1）电子材料（也称电子化学品），具有“品类多、壁垒高、专用性”等特点，主要包括半导体（集成电路、分立器件、LED、传感器）、显示器件（LCD、OLED）、印刷电路板（PCB）、太阳能电池等电子元器件、零部件与整机生产的各种化工材料。
2）半导体产品按种类不同，主要分为集成电路（Integrated Circuit，简称IC）、光电子、分立器件和传感器四部分。根据WSTS统计，2016年集成电路销售占比82%，光电子占比9%，分立器件占比6%，传感器占比3%。由于多年来集成电路销售占半导体销售比重均达80%以上，因此市场上一般将IC代指为半导体。
3）集成电路按照不同功能用途区分，主要包括四大类：微处理器（约18%）、存储器（约23%）、逻辑芯片（约27%）、模拟芯片（约14%）。
4）目前全球IC产业有两种商业模式：IDM（Integrated Device Manufacturer，集成器件制造）模式和垂直分工模式。
IDM是指从设计、制造、封装测试到销售自有IC产品，均由一家公司完成的商业模式；
垂直分工是指IC的设计、制造和封装测试分别由专业的IC设计商（Fabless）、IC制造商（Foundry）、IC封装测试商（Package&Testing）承担的商业模式；
目前来看，IDM模式在全球仍占主要地位。2016年全球TOP20厂商营收共计占全球半导体销售额约80%，其中，20强中IDM厂商营收规模占比约为68%，Fabless占比为18%，Foundry占比为14%。
半导体行业相关资料
1）半导体产业属于重资产投入，具有技术含量高、设备价值高等特点，因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计、制造和封装与测试环节。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。
2）历史上半导体行业经历了两次产业转移，由美国到日本再到韩国，而2016年底中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。随着半导体制造技术和成本的变化，半导体产业正在经历第三次产能转移，行业需求中心和产能中心逐步向国内转移。
3）根据市场研究机构IC Insights数据，2016年，全球半导体市场规模约3600亿美元。最新的前20排名中，美国有8家半导体厂入榜，日本、欧洲与中国台湾地区各有3家，韩国有两家挤进榜单，新加坡有一家上榜。中国大陆仍没有一家企业上榜。
4）半导体产业被认为处于整个电子信息产业链的顶端，近年来半导体产业正在向中国转移，人才与配套设施也积极趋向于中国。随着云计算、大数据、物联网、人工智能等新兴应用的兴起，市场驱动要素正在发生转折，而中国拥有全球最大、增速最快的半导体市场。
5）广发证券研报称，半导体属于高度资本密集和高度技术密集型产业，是世界大国的必争之地。中国作为全球半导体最大的消费市场，无论是从地域配套优势还是国家意志层面，中国半导体产业的崛起势在必行，半导体整个产业链都有望持续受益。
6)从资本开支角度讲，半导体是一个高技术壁垒和高资金门槛的行业，需要不断的研发投入和资本投入。数据方面看，半导体企业的资本开支从2016年三季度开始走高。2017年全球半导体企业的资本开支超过1000亿美金，像英特尔、三星、台积电这些巨头，每年的资本开支都在100亿美金之上。
半导体产业链情况
1）从产业链上来看，半导体上游主要包括设备和材料两个部分，中游IC生产包括“设计-制造-封装-测试”几个环节，下游应用主要集中在计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等领域。
2）半导体产业链上游称为支撑产业链，主要包括材料和装备。其中，半导体材料主要包括大硅片、电子气体、湿电子化学品、靶材、光刻胶以及CMP材料等，半导体设备则有光刻机、刻蚀机、成膜设备以及测试设备等。无论是材料还是设备，由于生产技术工艺复杂，目前国产率均处于极低的水平。
3）半导体材料方面：由于目前我国集成电路产业中封装领域已占据一定的市场份额，随着产业链转移的深入，下一个有望崛起的是国内的晶圆制造产业，这意味着制造环节的材料将有更大的替代弹性。在众多半导体材料中，率先实现技术突破打入核心供应商的是溅射靶材，而江丰电子是国内溅射靶材的龙头。在CMP抛光材料领域，行业龙头鼎龙股份也实现了技术突破，成为国内首家磨制平面能做到高精度纳米级的企业。其他处于半导体材料产业链的上市公司还包括：湿化学品相关的江化微、大硅片相关的上海新阳、特种电子气体相关的雅克科技等。
集成电路产业主要分为？
1）电子材料（也称电子化学品），具有“品类多、壁垒高、专用性”等特点，主要包括半导体（集成电路、分立器件、LED、传感器）、显示器件（LCD、OLED）、印刷电路板（PCB）、太阳能电池等电子元器件、零部件与整机生产的各种化工材料。
2）半导体产品按种类不同，主要分为集成电路（Integrated Circuit，简称IC）、光电子、分立器件和传感器四部分。根据WSTS统计，2016年集成电路销售占比82%，光电子占比9%，分立器件占比6%，传感器占比3%。由于多年来集成电路销售占半导体销售比重均达80%以上，因此市场上一般将IC代指为半导体。
3）集成电路按照不同功能用途区分，主要包括四大类：微处理器（约18%）、存储器（约23%）、逻辑芯片（约27%）、模拟芯片（约14%）。
4）目前全球IC产业有两种商业模式：IDM（Integrated Device Manufacturer，集成器件制造）模式和垂直分工模式。
IDM是指从设计、制造、封装测试到销售自有IC产品，均由一家公司完成的商业模式；
垂直分工是指IC的设计、制造和封装测试分别由专业的IC设计商（Fabless）、IC制造商（Foundry）、IC封装测试商（Package&Testing）承担的商业模式；
目前来看，IDM模式在全球仍占主要地位。2016年全球TOP20厂商营收共计占全球半导体销售额约80%，其中，20强中IDM厂商营收规模占比约为68%，Fabless占比为18%，Foundry占比为14%。
半导体行业相关资料
1）半导体产业属于重资产投入，具有技术含量高、设备价值高等特点，因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计、制造和封装与测试环节。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。
2）历史上半导体行业经历了两次产业转移，由美国到日本再到韩国，而2016年底中国晶圆产能占比11%，是全球增长最快的地区。随着半导体制造技术和成本的变化，半导体产业正在经历第三次产能转移，行业需求中心和产能中心逐步向国内转移。
3）根据市场研究机构IC Insights数据，2016年，全球半导体市场规模约3600亿美元。最新的前20排名中，美国有8家半导体厂入榜，日本、欧洲与中国台湾地区各有3家，韩国有两家挤进榜单，新加坡有一家上榜。中国大陆仍没有一家企业上榜。
4）半导体产业被认为处于整个电子信息产业链的顶端，近年来半导体产业正在向中国转移，人才与配套设施也积极趋向于中国。随着云计算、大数据、物联网、人工智能等新兴应用的兴起，市场驱动要素正在发生转折，而中国拥有全球最大、增速最快的半导体市场。
5）广发证券研报称，半导体属于高度资本密集和高度技术密集型产业，是世界大国的必争之地。中国作为全球半导体最大的消费市场，无论是从地域配套优势还是国家意志层面，中国半导体产业的崛起势在必行，半导体整个产业链都有望持续受益。
6)从资本开支角度讲，半导体是一个高技术壁垒和高资金门槛的行业，需要不断的研发投入和资本投入。数据方面看，半导体企业的资本开支从2016年三季度开始走高。2017年全球半导体企业的资本开支超过1000亿美金，像英特尔、三星、台积电这些巨头，每年的资本开支都在100亿美金之上。
半导体产业链情况
1）从产业链上来看，半导体上游主要包括设备和材料两个部分，中游IC生产包括“设计-制造-封装-测试”几个环节，下游应用主要集中在计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等领域。
2）半导体产业链上游称为支撑产业链，主要包括材料和装备。其中，半导体材料主要包括大硅片、电子气体、湿电子化学品、靶材、光刻胶以及CMP材料等，半导体设备则有光刻机、刻蚀机、成膜设备以及测试设备等。无论是材料还是设备，由于生产技术工艺复杂，目前国产率均处于极低的水平。
3）半导体材料方面：由于目前我国集成电路产业中封装领域已占据一定的市场份额，随着产业链转移的深入，下一个有望崛起的是国内的晶圆制造产业，这意味着制造环节的材料将有更大的替代弹性。在众多半导体材料中，率先实现技术突破打入核心供应商的是溅射靶材，而江丰电子是国内溅射靶材的龙头。在CMP抛光材料领域，行业龙头鼎龙股份也实现了技术突破，成为国内首家磨制平面能做到高精度纳米级的企业。其他处于半导体材料产业链的上市公司还包括：湿化学品相关的江化微、大硅片相关的上海新阳、特种电子气体相关的雅克科技等。
第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
与旅行社合作的行业？
旅游业作为朝阳的第三产业，可以带动与其直接相关的上下游产业和周边产业。具体如下：以某地的旅游业为例，旅游的发展，直接带动当地的餐饮、酒店、娱乐设施的发展。
旅游行业的又将促进基础设施的建设，钢筋、水泥等建筑材料行业和建筑设计行业将得到发展。
旅游业导致人群的迁移，交通运输业、当地特产等副业得到发展。
旅游业促进整体的资金流动，金融行业、借贷行业得到发展。
旅游业推动第三方的发展，广告行业、景区和城市品牌宣传、在线旅游行业、互联网企业得到同步发展。
旅游业能带动旅游者对旅游商品的直接购买，对与旅游商品相关的原材料、加工、制作、设计、销售等行业同步推动。
主体产业是指什么？
主体产业链是指某类产品或服务从形成到消费全过程中该行业自身的运行链条，其逻辑关系突出表现为各个环节按照生产流程依次连接。
对于大多数物质产品生产来说，其产业链一般表现为“产品研发——产品制作——产品销售”顺序衔接、环环相扣的结构；而对于精神产品生产来说，其产业链一般表现为“内容策划设计——内容与载体的结合——推向市场实现价值”与物质产品生产类似的链状结构；不难发现，虽然它们的具体环节不尽相同，但本质上却是一致的，他们是按照产品生产程序构成的“上游——中游——下游”依次相接的运行链条。
主体产业是指什么？
主体产业链是指某类产品或服务从形成到消费全过程中该行业自身的运行链条，其逻辑关系突出表现为各个环节按照生产流程依次连接。
对于大多数物质产品生产来说，其产业链一般表现为“产品研发——产品制作——产品销售”顺序衔接、环环相扣的结构；而对于精神产品生产来说，其产业链一般表现为“内容策划设计——内容与载体的结合——推向市场实现价值”与物质产品生产类似的链状结构；不难发现，虽然它们的具体环节不尽相同，但本质上却是一致的，他们是按照产品生产程序构成的“上游——中游——下游”依次相接的运行链条。
主体产业是指什么？
主体产业链是指某类产品或服务从形成到消费全过程中该行业自身的运行链条，其逻辑关系突出表现为各个环节按照生产流程依次连接。
对于大多数物质产品生产来说，其产业链一般表现为“产品研发——产品制作——产品销售”顺序衔接、环环相扣的结构；而对于精神产品生产来说，其产业链一般表现为“内容策划设计——内容与载体的结合——推向市场实现价值”与物质产品生产类似的链状结构；不难发现，虽然它们的具体环节不尽相同，但本质上却是一致的，他们是按照产品生产程序构成的“上游——中游——下游”依次相接的运行链条。
第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
再生物资销售属于第几产业？
答：再生物资销售属于第三产业，也就是属于服务产业。无论是产品还是再生物质的销售都是第三产业，是用来作为桥梁作用性质。统属于流通领域的行为。是为上、下游企业提供产品和原料的，并从中赚取一定比例的差价。它们统一称为第三产业。
主体产业是指什么？
主体产业链是指某类产品或服务从形成到消费全过程中该行业自身的运行链条，其逻辑关系突出表现为各个环节按照生产流程依次连接。
对于大多数物质产品生产来说，其产业链一般表现为“产品研发——产品制作——产品销售”顺序衔接、环环相扣的结构；而对于精神产品生产来说，其产业链一般表现为“内容策划设计——内容与载体的结合——推向市场实现价值”与物质产品生产类似的链状结构；不难发现，虽然它们的具体环节不尽相同，但本质上却是一致的，他们是按照产品生产程序构成的“上游——中游——下游”依次相接的运行链条。
再生物资销售属于第几产业？
答：再生物资销售属于第三产业，也就是属于服务产业。无论是产品还是再生物质的销售都是第三产业，是用来作为桥梁作用性质。统属于流通领域的行为。是为上、下游企业提供产品和原料的，并从中赚取一定比例的差价。它们统一称为第三产业。
