sic上市公司有哪几家？(sic上市公司有哪几家？)
1. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
2. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
3. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
4. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
5. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
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2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
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3.英唐智控（300131）：
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英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
6. sic上市公司有哪几家？
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2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
7. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
8. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
9. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
10. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
11. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
12. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
13. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
14. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
15. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
16. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
17. sic上市公司有哪几家？
有3家。
1.瀚川智能（688022）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为6256.33万元，过去三年净利润最低为2020年的4415万元，最高为2019年的7328万元。
公司拥有自主知识产权技术《控制芯片高速边界扫描技术》，通过数据扫描和对比，可以轻松便捷的对MCU、ASIC、DDR、CPLD等大规模的集成电路进行测试。
2.全信股份（300447）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为780万元，过去三年净利润最低为2018年的-2.525亿元，最高为2020年的1.388亿元。
2020年7月17日互动平台回复：芯片产业方面，公司开展了针对FC子卡的芯片化设计推广工作，前期已经推出了基于SIP的专用子卡芯片，并已经在市场上有一定的应用，目前公司正在针对用户需求开展基于ASIC的专用芯片设计工作。
3.英唐智控（300131）：
从近三年净利润来看，近三年净利润均值为1.46亿元，过去三年净利润最低为2019年的2857万元，最高为2020年的2.689亿元。
英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
18. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
19. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
20. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
21. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
22. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
23. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
24. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
25. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
26. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
27. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
28. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
29. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
30. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
31. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
32. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
33. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
34. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
35. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
36. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
37. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
38. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
39. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
40. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
41. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
42. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
43. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
44. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
45. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
46. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
47. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
48. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
49. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
50. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
51. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
52. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
53. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
54. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
55. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
56. sic器件的发展与前景？
回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
57. 销售中说的SIC？
在销售中，SIC通常指的是Standard Industrial Classification（标准产业分类）。SIC码是一种用于标识和分类企业行业类型的标准编码系统。它通过将企业根据其主要业务活动划分为各个不同的行业分类，来帮助组织和分析经济数据。
SIC码通常是一个多位数字代码，不同的数字代表不同的行业类别或子类别。这些代码可用于识别特定行业的企业，帮助销售团队了解目标客户所属的行业，并根据行业特点和需求进行定制化的销售策略。
在销售中，了解目标客户所属的行业以及该行业的特点对于制定有效的销售策略和沟通方案是非常重要的。因此，销售人员常常使用SIC码来帮助他们理解目标客户的行业属性并更好地满足其需求。
58. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
59. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
60. 第三代半导体概念分析？
1第三代半导体概念
第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。
SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。
2第三代半导体发展历程
自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。
SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。
为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。
而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。
二SiC产业概念
1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件
得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。
在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。
在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。
另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。
2SiC市场供需情况
尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。
与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。
与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。
3SiC产业主要运作模式
经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。
SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：
1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;
2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;
3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。
当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。
同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。
国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。
61. sic的上市公司有哪几家？
生产碳化硅的上市公司一览
天富能源(600509)：控股的公司北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
东方钽业(000962) ：一是以传统产业以钽铌铍等产品为主线,进一步提高核心竞争力,二是以钛及钛合金加工材为主线,做大做强钛及钛合金制品,三是以刃料碳化硅,钢线产品为主线,尽快做大做强太阳能(000591)光伏材料产业,四是以新型锂离子正极材料产品为主线,积极实现能源材料升级转型,把能源材料分公司打造成国内知名的锂离子正极材料供应商。公司四大产业发展布局已形成,另外公司将适时介入重要且具有广阔市场前景的高温合金领域。
易成新能(300080)：公司研发碳化硅精密陶瓷制品具有耐磨损、耐腐蚀、抗高温、抗氧化、气密性好等特性,广泛应用于石油、化工、机械、冶金、船舶、汽车、航空航天等领域。反应烧结碳化硅陶瓷:高温下液态硅渗入含碳坯体,并与碳反应生成碳化硅,使坯体获得烧结,从而得到高致密性的陶瓷材料。
扬杰科技(300373) ：2015年3月,公司和西安电子科技大学签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,双方决定合作成立“第三代半导体产业化工程技术中心”,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。协议明确,在新设工程技术中心中,公司将主要负责在第三代半导体器件封装测试领域的研发和产业化工作,西安电科大负责第三代半导体芯片和外延材料领域的研发工作。同时,双方将设立“宽带隙半导体国家级重点实验室扬杰工作站”,重点从事于碳化硅、氮化镓等第三代半导体功率器件的研究,为公司第三代半导体产品顺利大规模产业化提供技术支持。
62. sic半导体国内公司排名？
以下为sic半导体国内公司排名
1、安徽楚江科技新材料股份有限公司
2、上海硅产业集团股份有限公司
3、福建三安光电股份有限公司
4、北京有研新材料股份有限公司
5、浙江露笑科技股份有限公司
63. 碳化硅在新能源车中的应用分析？
应用分析如下。
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也是罕见的矿物。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅应用较为广泛、经济。
碳化硅大量应用于电动汽车。与硅相比，它可以延长每次充电的行驶里程，减少电池充电时间，可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程，为整体效率做出贡献。
虽然SiC器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升，从而有效降低了整车成本。目前，各汽车整车厂和供应商都开始布局SiC芯片的研发和产业化。但从功率半导体市场占有率来看，硅基半导体产品在新能源汽车领域仍是主流，SiC芯片的应用尚未普及。
64. sic行业分类？
标准产业分类法(Standard Industrial Classification,简称SIC)标准产业分类法。
