集成电路产业报告(半导体行业发展前景怎么样？)
1. 半导体行业发展前景怎么样？
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。现在大部分电子产品中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。
中国集成电路行业规模壮大，集中在设计与封测两端
随着中国经济的发展和现代化、信息化的建设，我国已成为带动全球半导体市场增长的主要动力，多年来市场需求保持快速增长。
根据SIA数据显示，2019年第一季度全球半导体市场同比下降了5.5%。受到全球半导体市场下滑影响，中国集成电路产业2019年增速大幅下降，根据中国半导体行业协会统计，2019年第一季度中国集成电路产业销售额1274亿元，同比增长10.5%，增速同比下降了10.2个百分点，环比下降了10.3个百分点。
从具体的生产流程来看，集成电路设计业同比增长16.3%，销售额为458.8亿元，占比36.01%；集成电路制造同比增长10.2%，销售额为392.2亿元，占比30.78%；封测业增速下降幅度最大，增速环比下了11个百分点，同比增长5.1%，销售额423亿元，占比33.20%。
振兴之路道阻且长
近年来国内不断出台政策，以促进我国半导体行业落后局面的改善，2018年4月以来，中兴 、华为等被美国商务部列入实体名单，更加引发了社会对我国半导体行业的关注。《中国制造2025》将集成电路的发展上升为国家战略，2014年6月公布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，半导体产业及相关材料将在我国将受到充分的政策优惠。中国未来的半导体行业将有着良好的政策支持。
但是需要注意的是，受到半导体产品终端应用市场需求变化、英国脱欧在即、中美贸易战阴影笼罩等因素影响，半导体贸易统计群组织(WSTS)于2019年2月下调2019年全球半导体市场销售额，预估为4545.4亿美元，较2018年同比下降3%。
目前我国智能手机出货量下滑，5G大规模商用前，智能手机出货量下行的压力持续存在，直接影响半导体市场需求的扩大。同时我国宏观经济下行压力较大，GDP增速放缓，而集成电路行业研发与制造需要大规模投资，与经济有着较为紧密的联系。整体来看，我国半导体行业有着巨大的发展空间和良好的侦测支持，但是受多方因素的影响，行业振兴之路道阻且长。
核心芯片国产自主化迫在眉睫
未来，中国半导体的发展趋势主要表现在：第一，政策引导推动集成电路成为战略性产业。第二，新兴技术将成为集成电路产业的未来核心产品。第三，核心技术及人才资源成为集成电路产业的可持续发展力。特别需要注意，中国国内的半导体自给率水平非常低，特别是核心芯片极度缺乏，国产占有率都几乎为零，国产产品的自主化迫在眉睫。
——以上数据来源于前瞻产业研究院《半导体硅片、外延片行业市场前景预测与投资战略规划分析报告》。
2. 我国半导体显示产业发展历史？
据美国集成电路研究公司最新的调查报告显示，自2010年来，美国企业仍主导半导体市场营收，比重为68%，但大陆企业在全球无晶圆厂半导体营收比重成长率最高，来到了13%。值得注意的是，自2010年来，中国大陆在整体集成电路市场表现最为亮眼，占去年全球营收比重13%，而在2010年仅占5%。从这些数据也可以看出中国半导体产业的发展速度是惊人的，可回顾中国半导体产业发展的历程，却步步是血泪。
1956-1965年 分立器件发展阶段
1956年是中国科学技术发展史上的关键一年。中央提出“向科学进军”的口号。在周恩来总理亲自主持制定的1956-1967年十二年科学技术发展远景规划中，把半导体，计算机，自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。在“重点发展、迎头赶上”和“以任务带学科”的方针指引下，我国半导体事业从无到有，有了长足的进展。
3. 中国集成电路发展史及重要人物？
我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了四个发展阶段。
第一阶段是1965年到1978年，以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;
第二阶段是1978年到1990年，主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化;
第三阶段是1990年到2000年，以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展;
第四阶段是2000年到现在，智能手机和消费电子的快速发展带动了集成电路的发展，以上海、北京、深圳作为第一梯队，中国集成电路产业整体快速发展的同时，中国集成电路企业实力也得到了显著提升。
中国集成电路史上最具代表性的六位科学家
一、黄敞：中国航天微电子与微计算机技术的奠基人
1934年9月入南京五台山小学学习，后随父母搬迁，先后就读于湖南长沙下马岭小学、香港中华中学附小。1953年获得美国哈佛大学博士学位后，1953年至1958年期间，黄敞先生受聘于雪尔凡尼亚半导体厂，相继担任高级工程师、专家工程师和工程经理，从事半导体前沿科学研究工作。
20世纪50年代初中期，当时国际的半导体、晶体管理论与工艺技术处于研究开发阶段。这一时期，身在美国的黄敞先生把研究重心放在了晶体管理论及制作工艺等半导体前沿科学上，通过在美国多家著名企业和院校进行晶体管理论与技术的探索研究，系统论述了晶体管理论和应用，发表论文20余篇，获得美国专利10项。
1965年，为发展航天微电子与微计算机事业，黄敞先生调至同年组建的中国科学院156工程处，即771所前身，开始从事航天微电子与微计算机事业。黄敞成功研制出固体火箭用CMOS集成电路计算机，使我国卫星运载技术跨上了新台阶，也为后续发展奠定了坚实基础。1975年，主持研制的大规模集成电路、大规模集成的I2L微计算机，获得了1978年全国第一次科学技术大会质量金奖。
二、邓中翰：中国芯片之父
1968年9月5日出生于江苏南京，微电子学、大规模集成电路及系统专家，中国工程院院士，星光中国芯工程总指挥，中星微集团创建人，1987年9月，邓中翰考入中国科学技术大学地球和空间科学系 ，在大学期间，邓中翰就在黄培华教授的指导下，进行科学研究。1992年6月，本科毕业，获得学士学位后赴美留学，进入加利福尼亚大学伯克利分校学习，先后获得物理学硕士、经济学硕士、电子工程与计算机科学博士，成为该校成立130年来横跨理、工、商三科学位的第一人。
2005年，邓中翰领导开发设计出的“星光”系列数字多媒体芯片，实现了八大核心技术突破，申请了该领域2000多项中国国内外技术专利，取得了核心技术突破和大规模产业化的一系列重要成果，这是具有中国自主知识产权的集成电路芯片第一次在一个重要应用领域达到全球市场领先地位，彻底结束了中国了“无芯”的历史 。
邓中翰是中国大规模集成电路及系统技术主要开拓者之一，邓中翰在“星光中国芯工程”中做出了突出成就，被业界称为“中国芯之父” 。
三、沈绪榜：研制16位嵌入式微计算机促进NMOS技术的发展
1933年生于临澧县烽火乡兰田村，1953年沈绪榜考入武汉大学数学系，中国计算机专家、中国科学院院士，1957年毕业于北京大学数学力学系。中国航天时代电子公司第七七一研究所研究员，大学兼职教授，一直从事嵌入式计算机及其芯片的设计工作。
沈绪榜一直从事航天计算机及其国产芯片的设计研制工作，并作出了重大贡献。1965年，他设计研制了我国第一台国产双极小规模集成电路航天制导计算机，并首次研制出了我国第一台国产PMOS中规模集成电路航天制导计算机，促进了中国PMOS集成电路技术的迅速发展。
1977年完成了我国第一台国产NMOS大规模集成电路航天专用16位微计算机的研制，获国家科技进步三等奖，他研制的专用大规模集成电路运算逻辑部件ALU于1988年获国防专用国家级科技进步三等奖。
四、许居衍：创建中国第一个集成电路专业研究所
1934年7月9日 出生于福建省闽侯县，1953-1956年 厦门大学物理系学习，1956-1957年 北京大学物理系学习。1970年，他参与了中国第一个集成电路专业研究所——第二十四研究所的创建，组织中国第一块硅平面单片集成电路的研制定型、参与计算机辅助制版系统及离子注入技术的基础研究，在集成电路工程技术的研究方面作出了创新性贡献。
1978年起，他开始担任所级技术领导工作，对24所在确定科技方向、预先研究、繁荣学术活动和加速人才培养、组织科技攻关等方面，均做出了明显成绩。在他担任总工程师期间，24 所完成了4K、16K、64K DRAM、八位微机、超高速ECL、八位数模转换器等重大科技开发工作，先后获得国家科技进步奖1项，部科技进步一等奖10多项。
许居衍同志是中国微电子工业初创奠基的参与者和当今最重点企业的技术创建与开拓者，为中国微电子工业发展作出了重大贡献。
五、林为干：中国微波之父
1919年10月20日生于广东台山县.中国科学院院士、微波理论学家、电子科技大学教授。1939年毕业于清华大学。1951年获美国加州大学博士学位，1951年回国后，在岭南大学、华南工学院任教。
林为干对中国电磁科学的发展作出了杰出的贡献，他50年来在此领域耕耘至今，其主要科技成就为闭合场理论，开放场理论和镜像理论。在闭合场理论方面，他发表了“一腔多模拟微波滤波器”的观点，奠定了一腔多模的作用，林为干开展了毫米波技术和宽带光纤技术等方面的系统研究，完成了一大批国家科研任务，取得了一系列成果。
正是由于他在国内微波理论方面作出的开拓性贡献，香港中文大学在1993年邀请林为干做学术报告时，尊他为“中国微波之父”。
六、吴德馨：国内首次成功研制硅平面型高速开关晶体管
1936出生于河北乐亭，半导体器件和集成电路专家，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究，包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管，氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。
60年代初，吴德馨在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广，60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路，70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。
吴德馨在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合，并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术，获1998年中科院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。
俗话说：喝水不忘挖井人，我们在享受技术带来便利的同时，也不要忘了那些为开拓技术献身的人，他(她)们是国家和集成电路产业的骄傲，笔者列出这些科学家的目的一方面是表示对这些科学家的敬意，另一方面是鼓励更多的企业或个人为中国集成电路做出更大的贡献，助力“中国芯”的发展。
